半導(dǎo)體行業(yè)對清洗劑的要求極為嚴苛，需同時滿足高純度（避免離子/顆粒污染）、無腐蝕性、易漂洗及環(huán)保合規(guī)（低VOCs、可生物降解、符合國際環(huán)保標準）等特性。以下主要介紹應(yīng)用在半導(dǎo)體清洗中的水基環(huán)保型清洗劑。

以去離子水為基質(zhì)，搭配環(huán)保型表面活性劑、螯合劑等，無有機溶劑或僅含極少量助溶劑，符合RoHS、REACH等環(huán)保法規(guī)，適合精密清洗場景。

1. 中性水基清洗劑

成分：非離子型表面活性劑（如聚氧乙烯醚類）、螯合劑（如EDTA、檸檬酸）、去離子水。

特點：pH值接近7，對硅片、金屬互連層（如Al、Cu）、光刻膠等材料無腐蝕。低泡易漂洗，可通過噴淋、兆聲波或刷洗工藝去除顆粒（如SiO?、金屬氧化物）、有機物（如光刻膠殘膠、指紋油）。

環(huán)保優(yōu)勢：不含磷、重金屬，生物降解性高，廢水處理成本低。

應(yīng)用場景

光刻后清洗（去除光刻膠殘留及顯影液雜質(zhì)）。

薄膜沉積（CVD/PVD）前清洗（去除顆粒和有機物，確保膜層附著力）。

晶圓鍵合、封裝前的精密清洗。

2. 弱酸性清洗劑

成分：有機酸（如檸檬酸、蘋果酸）、羥基乙酸等，替代傳統(tǒng)強無機酸（如HF）。

特點

溫和蝕刻：去除金屬離子（如Fe、Cu）和輕微氧化物（如硅片表面天然氧化層），腐蝕性低于氫氟酸。

環(huán)保優(yōu)勢：可生物降解，揮發(fā)少，無刺激性氣味。

應(yīng)用場景

硅片拋光后清洗（去除磨料顆粒及金屬污染物）。

銅互連工藝中的蝕刻后清洗（替代強酸性的硫酸/雙氧水體系）。

3. 堿性水基清洗劑

成分：有機胺（如MEA、TEA）、氨基酸類表面活性劑，替代傳統(tǒng)強堿性的NaOH。

特點

溫和脫脂：去除光刻膠剝離后的有機物殘留（如底部抗反射涂層 BARCs）、極性污染物。

環(huán)保優(yōu)勢：低 VOCs，可通過中和處理實現(xiàn)廢水達標排放。

應(yīng)用場景

光刻膠剝離后的殘留物清洗（如干法刻蝕后的聚合物殘留）。

硅片表面有機污染物（如油脂、蠟質(zhì)）的去除。